Description

카테고리제조업체시리즈포장부품 상태트랜지스터 유형전류 수집기 (Ic) (최대)전압 수집기 이미 터 고장 (최대)Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic전류 수집 컷오프 (최대)DC 전류 이득 (hFE) (분) @ Ic, Vce전@@ 력-최대주파수 전환작동 온도장착 유형패키지/케이@@ 스공급업체 장치 패키지

개별 반도체 제품
트랜지스터-바이폴라 (BJT) -단일
페어차일드/온 반도체
-
테이프 및 상자 (TB)
활성
NPN
1A
30V
500mV @ 100mA, 1A
100nA (ICBO)
200 @ 100mA, 1V
800mW
130MHz
150 °C (TJ)
스@@ 루 홀
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (성형 리드)
~-92 ~ 3