명세

제품 속성 속성 값 검색 유사

제조자: Infineon

제품 카테고리: MOSFET

RoHS:

기술: Si

설치 작풍: SMD/SMT

패키지/케이스: SOT-23-3

트랜지스터 극성: N 채널

채널의 수: 1 채널

Vds-드레인 소스 고장 전압: 30 V

Id 지속적인 하수구 현재: 5 A

Rds 온 드레인 소스 저항: 29 mOhms

Vgs 게이트 소스 전압: - 12 V, + 12 V

Vgs th 게이트 소스 임계 값 전압: 800 mV

Qg 문 책임: 6.8 nC

최소 작동 온도: - 55 C

최대 작동 온도: + 150 C

Pd 전력 분산: 1.3 W

채널 모드: 향상

상품명: HEXFET

포장: 테이프

포장: MouseReel

포장: 릴

구성:

높이: 1.1mm

길이: 2.9mm

시리즈: N 수로

트랜지스터 유형: 1 N 수로

너비: 1.3mm

브랜드: inineon/IR

앞으로 트랜스 컨덕턴스 최소: 19 S

가을 시간: 9.1 ns

제품 유형: MOSFET

상승 시간: 5.6 ns

공장 팩 수량: 3000

하위: Mosfet

일반적인 턴 오프 지연 시간: 22 ns

전형적인 회전 지연 시간: 4.2 ns

부품 번호 Aliases: IRLML6344TRPBF SP001574050

단위 무게: 0.000282 oz