LTC1155CS8 LTC1155IS8 LTC1155-듀얼 하이 사이드 마이크로 파워 MOSFET 드라이버

냉각했습니다

• 완전히 N 수로 힘 mosfets를 강화합니다

• 8 渭A 대기 현재

• 85 渭A 현재

• 단락 보호

• 넓은 전력 공급 범위: 4.5V 18V

• 통제되는 엇바꾸기 온/오프 시간

• 외부 책임 펌프 성분 없음

• P 채널 하이 사이드 mosfet 대체

• 표준 논리 가족과 호환이 되는

• 8 핀에서 유효한 그래서 포장

제품

LTC1155 듀얼 하이 사이드 게이트 드라이버는 하이 사이드 스위칭 애플리케이션을위한 저비용 N 채널 fets를 사용할 수 있습니다. 내부 책임 펌프는 긍정적인 가로장의 위 문을 밀어냅니다, 완전히 외부 성분없이 N 수로 mosfet를 강화하. Micropower 가동은, 8 a 대기 현재와 85 a 운영 현재와 더불어, 최대 효율성을 가진 실제로 모든 체계에서 사용을 허용합니다.

에 칩은 단락의 경우에는 자동적인 폐쇄를 제공하기 위하여 과전류 느끼고 있습니다. 시간 지연은 capacitors 터와 백열 램프와 같은 높은 돌입 짐에 틀린 방아쇠를 막기 위하여 현재 감에 시리즈에서 추가될 수 있습니다.

Ltc1155는 4.5V 18V 공급 입력의 떨어져 운영하고 안전하게 거의 모든 fets의 문을 drives 니다. Ltc1155는 낮은 전압 (배터리 전원을 사용하는) 신청을 위해, 특히 micropower leeleep? 가동이 요구되는 곳에 적응됩니다.

Ltc1155는 8 핀 PDIP 및 8 핀 이렇게 포장에서 유효합니다.

신청

• 노트북 전원 버스 스위칭

• SCSI 종료 전원 스위칭

• 휴대 전화 전원 관리

• P 채널 스위치 교체

• 릴레이 솔레노이드 드라이버

• 낮은 주파수 절반 H 교량

• 모터 속도와 토크 통제