냉각했습니다

• 3.6V ~ 15V 입력 전압 범위
• 채널 당 ± 3A 출력 전류
• 최대 95% 효율
• 채널 사이 선택가능한 90 °/180 ° 단계 교대
• 조정 가능한 스위칭 주파수: 500kHz ~ 4MHz
• VTTR = VDDQ/2 = VTT 참조
• 1.6% v에 ± 0.75 정확한 VTTR
• 최적의 VOUT 범위: 0.6V ~ 3V
• ± 10mA 버퍼 출력 공급 VREF 참조 전압
• 우수한 선과 짐 일시적인 응답을 위한 현재 형태 가동
• 외부 시계 동기화
• 단락 보호
• 입력 과전압 및 과열 보호
• 전원 좋은 상태 출력
• 유효한 에서 (4mm × 5mm) QFN-28 열으로 강화된 28 지도 TSSOP 포장

제품

Ltc3634는 DDR1, DDR2 및 DDR3 SDRAM 관제사를 전력 공급 그리고 버스 종단 가로장을 제공하는 고능률, 이중 수로 모놀리식 동시 강압 규칙입니다. 작동 입력 전압 범위는 3.6V 15V 적합합니다 포인트 부하 전원 애플리케이션에 5V 또는 12V 입력, 뿐만 아니라 다양 한 배터리 전원 시스템.

VTT 규제 출력 전압은 VDDQIN 같습니까? 0.5. 10mA 부하를 몰을 수있는 온 칩 버퍼는 저잡음 기준 출력 (VTTR) 도 VDDQIN 와 같습니까? 0.5.

동작 주파수는 프로그래밍 및 synchronizable 500kHz 4MHz 외부 저항. 두 개의 채널은 입력 및 출력 capacitance 턴스에 대한 요구 사항을 이완하는 180 ° 아웃-오브-위상을 작동 할 수 있습니다. 유일한 통제되는 정시 건축술은 더 작은 외부 성분의 사용을 허용하는 높은 엇바꾸기 주파수에 12V 공급에서 DDR 신청을 강화하기를 위해 이상적입니다.

Ltc3634는 28 핀 4mm × 5mm QFN 및 28 핀 노출 패드 TSSOP 패키지 모두에서 제공됩니다.

신청

• DDR 메모리 전원