SI5853DC-T1-E3 전계 효과 튜브 PMOS SOT1206-8 새로운 SI5853DC 스크린 인쇄 JHUA

속성

제조업체 모델

SI5853DC-T1-E3

제조업체

SILICONIX (Vishay)

제품 설명

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

패키지

컷 테이프 (CT)

시리즈

작은 발®

부품 상태

구식

FET 유형

P 채널

기술

MOSFET (금속 산화물)

드레인 소스 전압 (Vdss)

20V

전류-연속 배수 (Id), 25 °C

2.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

다른 Id, vgs에서 Rds On (최대)

110mOhm @ 2.7A, 4.5V

다른 id에서 Vgs(th) (최대)

1V @ 250µA

다른 Vgs (최대) 에서 게이트 충전 (Qg)

7.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

± 8V

다른 Vds (최대) 에서 입력 커패시턴스 (Ciss)

-

FET 기능

쇼트키 다이오드 (절연)

전력 방산 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55 °C ~ 150 °C (TJ)